При дальнейшем увеличении напряжения Pкрутизна выходных характеристик уменьшается, они располагаются почти параллельно оси абсцисс. Положение каждой из выходных характеристик зависит главным образом от величины тока базы . Если эмиттерный переход транзистора перевести в непроводящее состояние, т. е. подать на эмиттерный переход Pнапряжение отрицательной полярности , то ток коллектора снизится до величины Pи будет определяться обратным (тепловым) током коллекторного перехода, протекающего по цепи база коллек]тор. Область коллекторных характеристик, лежащих ниже характеристики, соответствующей , называют областью отсечки. Как и любой полупроводниковый прибор, транзистор имеет маркировку, представляющую собой комбинацию букв и цифр. Первым элементом обозначения транзистора являются буквы, указывающие исходный материал, из которого выполнен транзистор: Г германий, К кремний и А арсенид галлия. Второй элемент обозначения указывает тип прибора: Т биполярный транзистор, П полевой транзистор. Третьему элементу обозначения соответствует номер разработки транзистора, а последняя буква обозначения указывает группу транзистора, т. е. отличительные особенности транзистора данной разработки. Пример маркировки транзистора КТ315 Г: кремниевый транзистор, 315-й разработки, группы Г. Проводимость транзистора (p n p или n p n), а также другие его параметры не указываются в маркировке. Вся необходимая информация о параметрах транзистора приводится в справочных данных.
.PPPP PPPPP (3.26) При этом входное напряжение P(см. рис. 3.3, б) прикладывается к коллекторному переходу Pв прямом, а напряжение выходной цепи P в обратном направлении. Поэтому при Pнапряжение на коллекторном переходе оказывается включенным в прямом направлении. Это приводит к тому, что крутизна выходных характеристик на начальном участке от Pдо Pвелика.
Характер выходных характеристик тран]зистора (рис. 3.8, б) определяется величиной напряжения , прикладываемого к коллекторному переходу . В схеме с ОЭ это напряжение определяется разностью напряжений выходной Pи входной Pцепи транзистора (рис. 3.9)
Вольт -амперные характеристики транзистораПри включении транзистора в различных схемах представляют практический интерес графические зависимости напряжения и тока входной цепи (входные вольт -амперные характеристики) и выходной цепи (выходные или коллекторные вольт-амперные характеристики). Вид характеристик зависит от способа включения транзистора.Наибольшее распространение получили входные и выходные статические характеристики для двух схем включения транзистора: с общей базой и общим эмиттером. Поскольку на практике схемы включения транзистора с ОЭ имеют преимущественное применение, дальнейшие рассуждения проведем только для этой схемы включения транзистора.Статической входной характеристикой транзистора для схемы с ОЭ является график зависимости тока базы Pот напряжения база эмиттер Pвходной цепи при постоянном значении напряжения Pвыходной цепи PPпри P . Выходные (коллекторные) характеристики транзистора в схеме с ОЭ представляют собой зависимости тока коллектора Pот напряжения коллектор эмиттер Pвыходной цепи при постоянном токе базы Pво входной цепи Pпри . Типичные входные и выходные характеристики транзистора см. на рис. 3.8. Рис. 3.8. Вольт-амперная характеристика транзистора:а входная характеристика; б выходная характеристика При P= 0 входная характеристика транзистора соответствует прямой ветви вольт-амперной характеристики эмиттерного p n-перехода (рис. 3.8, а). С увеличением Pток базы Pуменьшается. Это объясняется тем, что при увеличении Pрастет напряжение, приложенное к коллекторному p n-переходу в обратном направлении. Из-за этого уменьшается вероятность рекомбинации носителей заряда в базе, так как большинство носителей быстро втягиваются в коллектор
Комментариев нет:
Отправить комментарий